汶顥芯片SU-8系列光刻膠是汶顥芯片與中科院化學(xué)研究所共同開發(fā)的國內(nèi)款厚膠，完全可以替代MicroChem SU-8光刻膠系列，其已被國內(nèi)多家科研院所使用，得到廣泛的一致好評(píng)。

      新型的化學(xué)增幅型負(fù)像SU-8光刻膠克服了普通光刻膠采用UV光刻深寬比不足的問題，十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)，因此SU-8膠是一種負(fù)性、環(huán)氧樹脂型、近紫外線光刻膠。它在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形;它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性;SU -8在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴(kuò)大負(fù)性膠，可以形成臺(tái)階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形;且SU-8膠不導(dǎo)電，在電鍍時(shí)可以直接作為絕緣體使用。由于它具有較多優(yōu)點(diǎn)，SU -8膠正被逐漸應(yīng)用于MFMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。直接采用SU -8光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件是微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。SU-8光刻膠的光刻工藝

      將SU-8光刻膠組分旋涂在基材上，施涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片隨后在95攝氏度下干燥20分鐘并隨后冷卻至室溫。然后，將負(fù)光掩模與涂覆晶片接觸并將所得組件用來自汞燈的紫外輻射在劑量250mJ/cm2，下進(jìn)行成像方式曝光。然后，通過在95攝氏度下加熱曝光晶片10分鐘而進(jìn)行熱處理，或曝光后烘烤。浮雕圖像隨后通過將晶片在顯影液中浸漬10分鐘隨后用水漂洗和在空氣中干燥而顯影。